Предыдущая публикация
В Moscow
В Китае впервые начнет производить DRAM-память собственной разработки!
На фоне открытого конфликта США и Китая, жертвой которого стала Huawei, компании из различных стран мира начали кампанию по минимизации влияния «технологий американского происхождения» на свою работу. Одним из таких производителей стала Changxin Memory Technologies, которая к концу года производство DRAM-памяти собственной разработки, чем создаст новое предложение на рынке, где Samsung, Hynix и Micron занимают 95% рынка. На первых порах объемы планируются небольшие (около 10 000 планок в месяц), но сам факт запуска проекта является показательным, ведь китайские компании прежде не были представлены на этом рынке. Причем задача Changxin не просто заполнить нишу, а соответствовать уровню «большой тройки». Первопричиной же называют угрозу попадания в черный список, как это было с Fujian Jinhua Integrated Circuit Co, которую власти США обвинили в краже интеллектуальной собственности.
Правда, полностью обезопаситься от влияния США компании не получится: производство будет зависеть от американских поставщиков оборудования, однако защитит активы от обвинений в краже интеллектуальной собственности. В дальнейшем Changxin ожидает крупный приток инвестиций, которые позволят нарастить производство и укрепить свою независимость от американских партнеров. На фоне этого, другие китайские производители занимают вопросом производства собственной NAND-флэш-памяти, которые бросят вызов Samsung, Toshiba, Western Digital и Micron. Возможно, одним из клиентов этих производителей станет и Huawei, когда разберется с патентными вопросами на производстве Kirin.
Следующая публикация
Нет комментариев