Предыдущая публикация
Исследователи из Университета Линчепинга (Linköping University) получили патент на технологию улучшенной металлизации отверстий при производстве многослойной памяти, в частности 3D NAND. Благодаря их разработке заполнение отверстий материалом будет происходить равномерно по всей глубине, что также позволит увеличить плотность их расположения и, следовательно, количество ячеек памяти, создаваемых вокруг них в каждом слое чипа.. Источник изображения: Linköping University
Подробнее https://7ooo.ru/group/2025/01/30/864-finny-nauchat-proizvoditeley-3d-nand-vypuskat-chipy-rekordnoy-plotnosti-grss-377637516.html
Присоединяйтесь к ОК, чтобы подписаться на группу и комментировать публикации.
Нет комментариев