Китайский прорыв в полупроводниках 3-поколения GaN улучшит военные технологии

https://podolyaka.ru/kitayskiy-proryv-v-poluprovodnikah-3-pokoleniya-gan-uluchshit-voennye-tehnologii/ Китайские исследователи обнаружили главную причину дефектов в перспективном полупроводниковом материале – нитриде галлия (GaN).

Материал имеет решающее значение для разработки передовой электроники, в частности, используемой в военных целях. Прорыв может позволить Китаю значительно расширить сектор производства GaN. Группа исследователей под руководством профессора Хуанга Бинга и его сотрудников из Пекинского университета выявила главную причину дефектов при […] Китайский прорыв в полупроводниках 3-поколения GaN улучшит военные технологии